第三类半导体因具有宽能隙、低漏电、耐高电压及高温等特性，且其能源转换效率更好，因此普遍被应用於功率元件。而氮化镓元件可支援更高的开关切换频率，并提供极佳的功率密度，在相同电气性能下，可有效缩减整体系统的尺寸。…
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